电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体扩大SiC<span style='color:red'>晶圆</span>供应合同

行业新闻

罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体扩大SiC晶圆供应合同

　　全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)和为各种电子设备提供半导体的全球著名半导体制造商意法半导体(以下简称“ST”)宣布，罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)将扩大目前已持续多年的150mm SiC晶圆长期供应合同。　　扩大后的合同约定未来数年向意法半导体供应在德国纽伦堡生产的SiC晶圆，预计合同期间的交易额将超过2.3亿美元。　　ST执行副总裁兼首席采购官 Geoff West表示：“通过扩大与SiCrystal的SiC晶圆长期供应合同，我们得以确保150mm SiC晶圆的新增需求量。这将有助于扩大相应产品的产能，确保向全球汽车和工业设备领域客户供货。另外，很好地保持各地区的内部产能和外部产能的平衡，将有助于提升供应链的弹性，促进未来的长效发展。”　　罗姆集团SiCrystal总裁兼CEO Robert Eckstein(博士)表示：“SiCrystal是SiC的领军企业罗姆集团旗下的公司，具有多年的SiC晶圆生产经验。我们很高兴能够与我们的老客户ST扩大了这项供应合同。未来，我们将通过继续增加150mm SiC晶圆的供应量并始终提供高可靠性的产品，来支持我们的合作伙伴扩大SiC业务。”　　SiC功率半导体以其出色的能效著称，能够以更可持续的方式促进汽车和工业设备的电子化发展。通过促进高效的能源发电、分配和存储，在向更清洁的出行解决方案和废物排放更少的工业工艺转型过程中，SiC可提供强有力的支持。同样，还有助于为AI应用的数据中心等资源密集型基础设施提供更可靠的电力供应。　　关于ST　　ST是一家拥有5万余名员工、并拥有完善的供应链和先进制造设备的全球综合半导体制造商。目前已与超过20万家客户和数千家合作伙伴企业开展合作，致力于通过开发半导体解决方案和构建生态系统，为客户的业务发展和可持续发展社会添砖加瓦。ST的技术可实现智能出行、高效的电源与能源管理、以及云连接自主化设备的普及。此外，ST还致力于到2027年实现碳中和(范围1、2 、3的一部分)。如欲进一步了解详情，请访问ST的官网(http://www.st.com)。　　关于SiCrystal　　罗姆集团旗下的SiCrystal公司是单晶碳化硅(SiC)晶圆的全球市场领导者。在电动汽车、快速充电站、可再生能源以及工业应用等众多领域中，SiCrystal的高级半导体PCB是用来提高功率转换效率的基石。如欲进一步了解详情，请访问SiCrystal的官网(https://www.sicrystal.de/)

关键词：

罗姆

发布时间：2024-04-23 16:08 阅读量：150 继续阅读>>

英特尔<span style='color:red'>晶圆</span>代工，更新路线图

行业新闻

英特尔晶圆代工，更新路线图

　　4年5个节点。这是英特尔首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 在 2021 年向英特尔的客户、投资者和全世界做出的承诺，当时他制定了英特尔雄心勃勃的计划，以重新夺回代工领域的领导地位。　　由于2010年代复杂的延误，英特尔失去了长期以来作为全球顶级晶圆厂的地位，当时的新任英特尔首席执行官不顾投资者出售英特尔晶圆厂的呼吁，转而全力投资晶圆厂，就像英特尔从未有过的那样。以前做过的事情，成为供全世界使用的自上而下的代工服务。　　现在两年多过去了，英特尔刚刚开始看到这一积极路线图的第一批成果，无论是在技术还是客户方面。基于英特尔首款 EUV 节点intel 4 的产品现已上市，其大批量对应产品intel 3 也已准备就绪。与此同时，英特尔正在对其 2024 年和 2025 年首款全环栅 (GAAFET)/RibbonFET 进行最后的润色。　　对于该公司来说，这是一个令人兴奋的时刻，但也是一个关键时刻。英特尔已经到了需要兑现这些承诺的地步——而且他们需要以一种非常明显的方式做到这一点。　　为此，今天英特尔的代工团队(正式名称为英特尔代工服务：Intel Foundry Services)正在举办其首次会议“Direct Connect”。这不仅仅是为客户和媒体展示的，这是英特尔为整个晶圆厂行业举办的亮相派对，英特尔的代工厂(而且只有英特尔的代工厂)受到关注，这在英特尔的庞大业务中是罕见的。　　除了概述英特尔在 4 年内实现 5 个节点目标方面取得的进展外，Direct Connect 也是英特尔首次有机会谈论前 5 个节点之后的发展。随着英特尔代工工厂在产能、客户和工具方面的扩展，该团队不仅正在考虑一系列更先进的节点，而且还在考虑一系列日益必要的封装技术来支持它们。虽然今天的活动与基辛格 2021 年宣言的整体大胆程度不相上下，但它仍然是一次重要的观察，让我们了解这位曾经(以及未来?)的代工之王在未来几年将会发生什么。　　总而言之，这里有几项值得注意的公告，所以让我们直接深入了解。　　英特尔代工服务更名为“英特尔代工”，开启封装和测试大门　　英特尔的代工集团正在换个新名字，开启了英特尔所谓的“系统代工”时代。英特尔的整个代工服务系列，从晶圆厂到测试再到先进封装，现在都被置于单一的英特尔代工旗帜下。　　从某些方面来说，这也是英特尔为服务披上一层新的蓝色外衣。但这也旨在强调英特尔服务产品的性质。该公司不仅希望为客户制造芯片，而且希望成为芯片生产的一站式商店。因此，除了晶圆光刻技术之外，英特尔还向潜在客户开放其先进封装、芯片组装和测试的完整生态系统。如果客户愿意，他们将能够从英特尔获得完整的芯片，甚至只是利用英特尔提供的个性化服务。　　这一声明有多个角度，但最重要的是，它凸显了英特尔想要做到这一切的愿望。他们不仅想在晶圆代工界占据一席之地;他们希望尽一切努力吸引尽可能多的客户——尽可能地扩大规模。　　更广泛地说，人们希望能够利用英特尔竞争对手的任何失误，因为这些往往是在正在进行的代工竞赛中取得领先的最佳机会。正是英特尔在 10 纳米(以及较小程度的 14 纳米)方面遇到了挫折，而当台积电、三星或其供应链的其他成员陷入困境时，能够迅速介入是英特尔重新获得工艺领先地位的一种方式，这将让他们最终占据最佳制造商的位置。　　超越Intel 18A：18A-P、14A 和混合键合　　抛开业务问题不谈，英特尔今天发布的公告的重点是该公司的晶圆厂路线图，该路线图将在两年多以来首次延期。现在，英特尔正在发货一些首批追赶节点，并准备发货其余节点，该公司将介绍 2025 年 18A 后的情况。　　在高性能/高密度赛道上，这里的重要补充是 18A 的后继者14A。除其他成就外，14A 将是英特尔首次使用高数值孔径 (High-NA) EUV(下一代极紫外光刻技术)的节点。高数值孔径 EUV 有望实现更精细的特征，允许在不依赖多重图案化的情况下处理晶圆，而这对于较小节点尺寸的传统 EUV 来说是必需的。英特尔将其代工业务押注于 High-NA，这与英特尔在 EUV 领域的起步相对较晚(Intel 4/Meteor Lake 是其首款产品)形成鲜明对比，以至于英特尔已经获得了迄今为止全球唯一的高数值孔径扫描仪。　　凭借 High-NA 的使用，14A 将成为英特尔继 20A/18A 合并之后的第一个完整节点。它将在功能尺寸和性能方面提供什么还有待观察——风险生产定于 2026 年底进行，这还需要几年时间——但如果一切按照英特尔的计划进行，这将是他们进一步发展的地方巩固其作为晶圆厂工艺技术领导者的地位。　　在其他地方，英特尔正在计划其主要节点的几种变体，包括 14A。这些变体都获得了新的后缀，具体如下：　　E，Feature Extension：E 节点是对以某种方式增强的节点的包罗万象的标签。据英特尔称，这主要基于新功能，例如支持更高的电压(想想用于 HPC 的台积电“X”节点)、更高的温度等。这些节点的性能也可能比基本节点更好，但一般来说，每瓦性能将提高不到 5%。　　P, Performance Improvement：这些节点相对于节点的基本版本提供了更大但仍然适度的性能改进。AP 节点应提供 5% 到 10% 的每瓦性能改进。它们本质上是节点的“plus”版本。顺便说一句，如果一个新节点的每瓦性能提升超过 10%，那么英特尔表示我们应该期望它完全是一个新节点。　　T, Through-Silicon Vias：最后，T 后缀将用于指示支持硅通孔 (TSV) 的英特尔节点的特殊版本，用于制造基础芯片，而基础芯片又用于铜铜混合键合。混合键合也是英特尔在其 Foveros Direct 3D 品牌下推广的，是当前芯片堆叠的最终游戏，允许使用微小的铜键合将芯片直接堆叠在彼此的顶部，这些铜键合使用 TSV 路由到各自的芯片中。混合键合/TSV 将允许凸块间距小于 10 微米，因此即使在一平方毫米内，芯片之间也能实现大量连接。　　考虑到这些后缀，我们在英特尔路线图上看到了当前、即将推出和新宣布的工艺节点的几种变体。性能轨道上的是14A-E，它是英特尔最新路线图上最远的节点。英特尔没有透露此处提供的具体增强功能，但高压操作是一个不错的猜测。　　同时，18A 将在 2025 年左右获得性能更高的变体，即18A-P。英特尔一再指出，18A 预计将是一个寿命较长的节点，因此看到它获得更高性能的变体也就不足为奇了，特别是因为其是一个不受高数值孔径光刻机设计限制的节点。(主要是芯片/掩模版尺寸)。　　Intel 3 是英特尔首款大批量 EUV 节点，也将在未来几年内出现一些变化。这包括英特尔首个 TSV/Foveros Direct 节点、Intel 3-T以及将于 2025 年推出的功能增强型英特尔3-E 。最后，基于更高性能设计的第二个支持 TSV 的节点版本将随Intel 3P-T一起提供。值得注意的是，在英特尔路线图上，只有Intel 3 具有支持 TSV 的节点;由于这些 T 节点旨在用于工作软管基础模具，因此英特尔并未制定任何计划使用 18A 等尖端节点制造基础.芯片。(尽管毫无疑问，18A 仍将在 Foveros Direct 中用作top dies，例如在Clearwater Forest中)　　最后，英特尔之前宣布的Intel 12 节点将于 2027 年投入生产。该预算节点正在与 UMC 联合开发，但将仅在英特尔代工厂生产。　　英特尔：4年内5个节点已步入正轨　　虽然英特尔今天发布的公告的重点是围绕他们未来的雄心壮志，但要实现这一目标，他们仍然需要实现当前的目标。这意味着他们承诺在 4 年内按时交付 5 个节点。　　重要的是，英特尔再次重申 4 年计划仍在按计划进行。英特尔的 4 年计划结束时，18A 将于 2025 年投入生产，到 2024 年，客户已经可以开始为英特尔最雄心勃勃的节点设计芯片。　　值得注意的是，英特尔最近完成了自己的 18A 主要产品Clearwater Forest 的流片，并于今天宣布。Clearwater 是基于英特尔第二代 E 核的 Xeon(Sierra Forest 的后继产品)，是英特尔代工技术的杰作。除了用于计算元件的 18A 之外，Clearwater 还使用 Intel 3 作为其基础芯片，使用 EMIB 进行进一步的芯片连接，甚至使用 Foveros Direct(混合键合)进行芯片间连接。Clearwater 最终将与消费级Panther Lake一起成为英特尔的前两个大型 18A 项目。　　凭借其特征尺寸、RibbonFET 晶体管和PowerVia 背面供电的组合，英特尔此前曾表示，他们希望通过 18A 重新获得工艺领先地位。截至今天的活动，这仍然是英特尔对何时重回巅峰的预测。　　与此同时，距离生产更近了，英特尔报告称，其大批量 EUV 工艺节点Intel 3 已准备好进行大批量生产。它的前身 Intel 4 现已针对 Meteor Lake 发货，而 intel 3 是其改进版本，具有全系列可用的单元库(而不是仅提供高性能的 Intel 4)。　　鉴于英特尔目前仅使用其 5 个节点中的第二个节点来交付产品，因此无法回避的事实是，至少作为外部观察者，英特尔的许多“步入正轨”声明都是在相信该公司的话。但鉴于英特尔的时间表从一开始就基于内部(风险生产)里程碑而不是产品出货里程碑，因此永远不会有任何其他方式。　　尽管如此，尽管我们今天手里没有 Clearwater Forest 芯片，但他们的设计已经流片并已准备好接受客户设计这一事实，就像人们所希望的那样，是一个充满希望的迹象。　　英特尔也很快宣称他们的客户胜利是他们进步的进一步证据，并且英特尔代工厂正走在正确的道路上。虽然英特尔没有透露任何具体合作伙伴的名称，但他们透露，他们已经就 18A 达成了 4 项“大型”交易。其中一项交易包括一项“有意义的”预付款协议。最终，英特尔代工厂的财务成功不仅取决于开发新节点，还取决于签约客户，以获得完成所有这些主要投资所需的必要数量。因此，对于英特尔来说，作为代工业务的相对新手，让客户愿意为产能预付费是他们的一大优势。　　英特尔，未来依仗的技术　　在今天一次采访中，英特尔通过分享其未来数据中心处理器的一瞥，概述了它将为其代工客户提供的新芯片技术。这些进步包括更密集的逻辑以及3D 堆叠芯片内的连接性增加 16 倍，它们将是该公司与其他公司的芯片架构师共享的首批高端技术之一。　　在内部，英特尔计划在代号为 Clearwater Forest 的服务器 CPU 中使用这些技术的组合。该公司认为该产品是一种具有数千亿个晶体管的片上系统，是其代工业务的其他客户能够实现的目标的一个例子。　　英特尔数据中心技术和探路总监Eric Fetzer表示，“我们的目标是让计算达到我们能够实现的最佳每瓦性能” 。这意味着使用该公司最先进的制造技术——Intel 18A。　　“但是，如果我们将该技术应用于整个系统，就会遇到其他潜在问题，”他补充道。“系统的某些部分不一定能像其他部分一样扩展。逻辑通常可以根据摩尔定律很好地扩展一代又一代。”但其他功能则不然。例如，SRAM(CPU 的高速缓存)一直滞后于逻辑。连接处理器和计算机其余部分的 I/O 电路则更加落后。　　面对这些现实，正如所有领先处理器制造商现在面临的那样，英特尔将 Clearwater Forest 的系统分解为其核心功能，选择最适合的技术来构建每个功能，并使用一套新技术将它们重新缝合在一起。其结果是 CPU 架构能够扩展到多达 3000 亿个晶体管。　　在Clearwater Forest ，数十亿个晶体管被分为三种不同类型的硅 IC，称为芯片或小芯片，互连并封装在一起。该系统的核心是使用 Intel 18A 工艺构建的多达 12 个处理器核心小芯片。这些小芯片以 3D 方式堆叠在三个使用 Intel 3 构建的“基础芯片”之上，该工艺为今年推出的Sierra Forest CPU制造计算核心。CPU 的主高速缓存、电压调节器和内部网络将安装在基础芯片上。“堆叠通过缩短跳数来改善计算和内存之间的延迟，同时启用更大的缓存，”英特尔高级首席工程师Pushkar Ranade说。　　最后，CPU 的 I/O 系统将位于使用 Intel 7 构建的两个芯片上，到 2025 年，该芯片将落后该公司最先进的工艺整整四代。事实上，这些小芯片与Sierra Forest 和 Granite Rapids CPU中的小芯片基本相同，从而减少了开发费用。　　以下是所涉及的新技术及其提供的功能：　　1、3D混合键合　　英特尔当前的芯片堆叠互连技术 Foveros 将一个芯片与另一个芯片连接起来，采用的是长期以来芯片与封装连接方式的大幅缩小版：微小的焊料“微凸块”，短暂熔化后即可连接芯片。这使得 Meteor Lake CPU 中使用的 Foveros 版本大约每 36 微米建立一个连接。Clearwater Forest 将使用新技术Foveros Direct 3D，该技术不同于基于焊接的方法，可将 3D 连接的密度提高 16 倍。　　它被称为“混合键合”，类似于将两个芯片表面的铜焊盘焊接在一起。这些垫片稍微凹陷并被绝缘体包围。当将两个芯片压在一起时，一个芯片上的绝缘体会粘附到另一芯片上。然后，对堆叠的芯片进行加热，使铜在间隙中膨胀并粘合在一起，形成永久链接。竞争对手台积电在某些AMD CPU中使用混合键合版本，将额外的高速缓存连接到处理器核心小芯片，并在AMD 最新的 GPU中将计算小芯片连接到系统的基础芯片。　　Fetzer 表示，“混合键合互连能够大幅提高”连接密度。“这种密度对于服务器市场非常重要，特别是因为这种密度驱动着非常低的皮焦每比特通信。”如果每比特能源成本太高，则数据从一个硅芯片传输到另一个硅芯片所涉及的能量很容易消耗产品功率预算的很大一部分。Foveros Direct 3D 使每比特的成本降至 0.05 皮焦耳以下，这使其与在硅芯片内移动比特所需的能量处于同一水平。　　节省的大部分能源来自于传输更少的铜线的数据。假设您想要将一个芯片上的 512 线总线连接到另一个芯片上相同大小的总线，以便两个芯片可以共享一组一致的信息。在每个芯片上，这些总线可能窄至每微米 10-20 根电线。要使用当今的 36 微米间距微凸块技术将信号从一个芯片传输到另一个芯片，意味着将这些信号分散到一侧数百平方微米的硅上，然后将它们聚集到另一侧的同一区域。Fetzer说，对所有额外的铜和焊料进行充电“很快就会成为延迟和大功率问题”。相比之下，混合键合可以在几个微凸块占据的同一区域中进行总线到总线的连接。　　尽管这些好处可能很大，但转向混合键合并不容易。要形成混合键合，需要将已经切割的硅芯片与仍附着在晶圆上的硅芯片连接起来。正确对齐所有连接意味着芯片必须被切割成比微凸块技术所需的公差大得多的公差。修复和恢复也需要不同的技术。Fetzer 表示，甚至连接失败的主要方式也是不同的。对于微凸块，您更有可能因连接到相邻焊点的一点焊料而发生短路。但对于混合键合，危险是导致连接断开的缺陷。　　2、背面电源　　该公司今年通过其Intel 20A 工艺(将先于英特尔 18A 的工艺)为芯片制造带来的主要区别之一是背面供电。在当今的处理器中，所有互连，无论是承载电力还是数据，都构建在芯片的“正面”硅基板上方。Foveros 和其他 3D 芯片堆叠技术需要硅通孔、互连，这些互连可以向下钻穿硅以从另一侧建立连接。但背面电力传输更进一步。它将所有电源互连放置在硅下方，基本上将包含晶体管的层夹在两组互连之间。　　这种布置会产生影响，因为电源互连和数据互连需要不同的功能。电源互连需要较宽以减少电阻，而数据互连应较窄以便可以密集封装。随着今年晚些时候Arrow Lake CPU的发布，英特尔将成为第一家在商用芯片中引入背面供电的芯片制造商。英特尔去年夏天发布的数据显示，仅背面电源就带来了6% 的性能提升。　　英特尔 18A 工艺技术的背面供电网络技术将与英特尔 20A 芯片中的技术基本相同。然而，它在Clearwater Forest 中得到了更大的利用。即将推出的 CPU 在基础芯片中包含所谓的“片内电压调节器”。使电压调节接近其驱动的逻辑意味着逻辑可以运行得更快。距离越短，调节器就能更快地响应电流需求的变化，同时消耗更少的功率。　　由于逻辑芯片使用背面供电，因此电压调节器和芯片逻辑之间的连接电阻要低得多。“通过技术提供的动力以及 Foveros 堆叠为我们提供了一种非常有效的连接方式，”Fetzer 说道。　　3、RibbonFET，下一代晶体管　　除了背面电源之外，该芯片制造商还采用英特尔 20A 工艺改用不同的晶体管架构：RibbonFET。自 2011 年以来， RibbonFET是纳米片或全栅晶体管的一种形式，它取代了FinFET(自 2011 年起 CMOS 的主力晶体管)。在 Intel 18A 中，Clearwater Forest 的逻辑芯片将采用第二代 RibbonFET 工艺制造。Fetzer 表示，虽然这些设备本身与 Intel 20A 中出现的设备没有太大区别，但设备的设计具有更大的灵活性。　　他表示，“除了实现高性能 CPU 所需的功能之外，还有更广泛的设备可以支持各种代工应用”，而这正是 Intel 20A 工艺的设计目的。　　其中一些变化源于 FinFET 时代失去的一定程度的灵活性。在 FinFET 出现之前，采用相同工艺的晶体管可以制成多种宽度，从而允许在性能(伴随更高电流)和效率(需要更好地控制漏电流)之间进行或多或少的连续权衡。由于 FinFET 的主要部分是具有规定高度和宽度的垂直硅鳍，因此现在必须采取设备具有多少鳍的形式进行权衡。因此，使用两个翅片可以使电流加倍，但没有办法将其增加 25% 或 50%。　　有了纳米片器件，改变晶体管宽度的能力又回来了。“RibbonFET 技术可在同一技术基础上实现不同尺寸的焊带，”Fetzer 说道。“当我们从英特尔 20A 转向英特尔 18A 时，我们在晶体管尺寸方面提供了更大的灵活性。”　　这种灵活性意味着设计人员可以用来构建系统的标准单元(基本逻辑块)可以包含具有不同属性的晶体管。这使得英特尔能够开发出一个“增强型库”，其中包括比英特尔 20A 工艺的标准单元更小、性能更好或更高效的标准单元。　　4、第二代EMIB　　在 Clearwater Forest 中，处理输入和输出的芯片使用第二代英特尔EMIB水平连接到基础芯片(具有高速缓存和网络的芯片) 。EMIB 是一小块硅，包含一组密集的互连和微凸块，旨在将一个芯片连接到同一平面上的另一个芯片。硅嵌入封装本身，以形成芯片之间的桥梁。　　自 Sapphire Rapids 于 2023 年发布以来，该技术已在英特尔 CPU 中投入商业使用。它是一种成本较低的替代方案，可将所有芯片放在硅中介层上，硅中介层是一块带有互连图案的硅片，其大小足以容纳所有芯片。系统的芯片可供放置。除了材料成本之外，硅con 中介层的建造成本可能很高，因为它们通常比标准硅工艺设计的尺寸大几倍。　　第二代 EMIB 今年与 Granite Rapids CPU 一起首次亮相，它将微凸块连接的间距从 55 微米缩小到 45 微米，并提高了电线的密度。这种连接的主要挑战是封装和硅在加热时以不同的速率膨胀。这种现象可能会导致翘曲，从而破坏连接。　　此外，就 Clearwater Forest 而言，“还存在一些独特的挑战，因为我们将常规芯片上的 EMIB 连接到 Foveros Direct 3D 基础芯片和堆栈上的 EMIB”，Fetzer 说道。他说，这种情况最近被重新命名为 EMIB 3.5 技术(以前称为 co-EMIB)，需要采取特殊步骤来确保所涉及的应力和应变与 Foveros 堆栈中的硅兼容，Foveros 堆栈比普通芯片更薄。　　生态系统齐聚一堂：EDA 工具和 IP 已准备就绪　　最后，今天活动的一部分专门面向英特尔以外的供应商，他们负责提供完成英特尔代工厂生态系统所需的其余工具、IP 和其他部分。　　向合同制造的转变给英特尔带来了几项变化，其中最大的变化之一是如何为英特尔晶圆厂设计芯片。当英特尔只生产供内部使用的芯片时，该公司可以自由地使用他们需要的任何工具，无论他们需要什么工具——标准化的必要性并不高，更不用说向外界公开这些流程的工作原理了。但现在英特尔代工厂的大门已经敞开，英特尔必须与工具提供商密切合作，以便外部公司能够成功使用他们的晶圆厂。这意味着英特尔正在从完全内部生态系统过渡到外部生态系统;他们未来的成功部分取决于确保客户为其晶圆厂开发芯片的一切都到位。　　最终结果是，英特尔代工厂一直与电子设计自动化 (EDA) 提供商的知名企业合作，他们的工具是现代芯片设计的基础。这包括 Synopsys、Cadence、Ansys、西门子等。其中许多人将在今天早上的 Direct Connect 活动上发表讲话，宣布他们的工具已获得英特尔代工厂外部节点的认证。　　有趣的是，Intel Foundry 今天还宣布围绕 EMIB 开展广泛的行业合作。我期待在今天上午晚些时候计划的 EDA 会议上听到更多相关信息，但据英特尔称，该公司一直在与 EDA 工具供应商合作，以简化 EMIB 在芯片设计中的使用，从而加快 EMIB 的开发和交付- 为英特尔代工客户配备的芯片。　　除了 EDA 工具之外，英特尔还与 IP 提供商合作，以便将其关键 IP 移植到英特尔 Foundry 的工艺节点上或以其他方式开发。这是一个更大的合作伙伴列表，涵盖了从普通(内存 PHY)到 CPU 内核等复杂设计的所有内容。即使是最大的芯片设计商也不会完全在内部设计所有内容，因此获取充实芯片设计所需的基础 IP 块是英特尔代工生态系统的另一个主要需求。　　总体而言，英特尔代工在过去几年中一直在吸引各种公司。但可以说，CPU 设计商 Arm 是英特尔最重要的 IP 供应商。除了基于 Arm 的芯片已经从英特尔曾经坚如磐石的数据中心业务中占据了很大份额(尤其是云供应商现在设计自己的芯片)之外，Arm 也是非常受欢迎的人工智能加速器组合 - 甚至 Arm 本身也是如此期待他们的下一代 Neoverse 设计。因此，如果英特尔代工厂想要进军新兴(且利润丰厚)的人工智能市场，他们不仅需要能够提供制造人工智能加速器的能力，还需要提供与之配套的CPU内核。　　但在这方面，应该指出的是，英特尔本身也是这里的IP供应商。英特尔产品部门将作为小芯片/IP 供应商，甚至作为半定制设计公司来竞争业务，可以想象，该公司可以为真正需要定制级别的大客户提供基于英特尔 IP 的定制设计。出于显而易见的原因，今天公告的重点是围绕英特尔代工，但英特尔代工业务的成功将不仅仅是仅仅基于第三方 IP 为第三方制造芯片。

关键词：

英特尔

发布时间：2024-02-22 11:04 阅读量：1365 继续阅读>>

2024年多家半导体制造商在日本新建<span style='color:red'>晶圆</span>厂投产

行业新闻

2024年多家半导体制造商在日本新建晶圆厂投产

　　随着台积电在2月24日开幕的熊本晶圆厂以及其他多个日本或外资半导体制造商在日本新建的晶圆厂的大规模生产，市场人士预计这将刺激日本国内半导体供应链的成长和发展，提高日本的半导体制造能力。　　台积电熊本晶圆厂2/24将开幕　　在熊本县菊阳町，由台积电、SONY和日本电装(DENSO)投资的日本先进半导体制造(JASM)公司，目前正在兴建一座12寸晶圆厂，该工厂将采用12/16纳米以及22/28纳米制程技术，主要生产供应车用电子使用的芯片。该晶圆厂预计于2月24日开幕，预计将于2024年第四季开始大量生产。　　市场人士表示，这一新晶圆厂的开发将使日本逻辑IC制程技术获得重大进步，从瑞萨电子的40纳米制程转向JASM的12纳米制程，这被视为日本半导体复兴政策的第一步。对此，日本政府也为JASM晶圆厂提供4,760亿日元(约合32亿美元)的资金补助，补助金额占该晶圆厂总支出86亿美元的近三分之一。　　铠侠和西数合资兴建12寸晶圆厂　　NAND Flash 快闪存储器大厂铠侠(Kioxia)和西数正合资在三重县四日市建设一座12寸晶圆厂。该工厂将于2024年3月准备量产3D NAND Flash闪存产品。市场人士指出，该晶圆厂将斥资2,800亿日圆(约18亿美元)，其中日本政府补高达929亿日元(约6亿美元)。至于，位于岩手县北上的另一家铠侠和西数合资工厂，则将于2024年下半年开幕。而该计划原定于2023年完工，但由于市场状况不佳，因为整个计划遭到延后。　　瑞萨电子扩产功率半导体产能　　瑞萨电子预计将于2024年推出新的功率半导体生产线，不过，因为该公司位于山梨县的甲府工厂于2014年10月已经关闭。因此，为了应对电动汽车(EV)功率半导体不断成长的需求，该公司承诺斥资900亿日圆在现有工厂安装一条12寸晶圆生产线。未来，新生产线将使瑞萨电子能够增强其IGBT和MOSFET等功率半导体的产能，并计划于2024年达成量产目标。而对于瑞萨电子的扩产计划，预计也将获得日本经济产业省的补贴支持。　　东芝和罗姆半导体合作整合产线发展功率半导体　　东芝和罗姆半导体(ROHM)达成一项协议。根据协议，东芝功率半导体工厂将开始与罗姆在宫崎县国富市新开发的碳化硅(SiC)功率半导体工厂进行生产整合。罗姆位于国富市的新工厂将采用8寸SiC晶圆技术，预计于2024年底开始量产，并部分完成工厂建设。而此次合作预计将获得政府补贴，相当于该项目投资的三分之一。　　2025年及以后日本新晶圆厂计划　　2025 年之后，日本将出现更多晶圆厂，包括美光科技位于广岛县的新 1-gamma(1γ)DRAM 生产厂。JSMC 是晶圆代工厂力积电(PSMC)的晶圆制造子公司，其与日本金融集团SBI合作，计划在2027 年完成兴建后量产芯片。至于，日本半导体新创企业Raapidus也计划在2027年在北海道量产2纳米芯片。　　据报道，台积电正在考虑在熊本县菊阳町建造日本的第二家晶圆厂。预计最快在2月6日，台积电将正式宣布第二晶圆厂的地点。此前，台积电董事长刘德音表示，他们正在评估在日本建造第二家晶圆厂的可能性，并与日本政府进行讨论。如果决定建造第二家晶圆厂，该厂预计将使用7纳米到16纳米的制程技术生产产品。

关键词：

半导体

发布时间：2024-02-01 09:14 阅读量：1380 继续阅读>>

<span style='color:red'>晶圆</span>和芯片的关系是什么

行业新闻

晶圆和芯片的关系是什么

　　晶圆和芯片是半导体制造过程中的两个重要概念，它们在电子行业中有着密切的联系。本文AMEYA360将探讨晶圆和芯片之间的关系以及它们在半导体生产中的作用。　　一、什么是晶圆　　晶圆是一种平坦且具有高纯度的硅片，通常采用单晶硅或多晶硅材料制成。它的外观类似于一张圆形的薄片，直径可以达到几英寸甚至更大。晶圆经过一系列的加工步骤，如清洗、抛光和化学处理，以保证表面的光洁度和纯度。　　二、晶圆的制备过程　　晶圆的制备过程包括以下主要步骤：　　材料准备：制备晶圆需要高纯度的硅原料。首先，硅原料会经过熔炼和精炼的过程，去除杂质，提高纯度。　　单晶生长：通过将高纯度的硅熔液冷却，使其逐渐凝固结晶，形成单晶硅。这一过程称为单晶生长。单晶生长可以通过多种方法实现，如凝固法和气相沉积法。　　切割和抛光：单晶硅块经过切割和抛光的步骤，将其形成圆形的薄片，即晶圆。抛光过程非常关键，以确保晶圆表面平整度和纯度。　　清洗和检验：最后，晶圆会经过严格的清洗和检验，以确保表面没有杂质和缺陷。　　三、什么是芯片　　芯片是在晶圆上制造的集成电路或微电子元件。它是一个微小而复杂的电子装置，通常由晶体管、电容器和电阻器等多个电子元件组成。芯片中的电子元件被精密地布局和连接，以实现特定的功能和电路。　　四、芯片制造过程　　芯片的制造过程分为以下主要步骤：　　掩膜制备：掩膜是用于定义芯片电路图案的模板。它由设计师根据电路需求绘制并转移到光刻掩膜上。　　光刻：光刻是将掩膜图案转移到晶圆表面的过程。通过照射光刻胶，并利用掩膜中的图案进行曝光和显影，形成光刻胶图案。　　刻蚀：刻蚀是将光刻胶图案转移到晶圆表面的过程。晶圆经过刻蚀处理，去除未被光刻胶保护的部分材料，形成所需的电路结构。　　沉积和蚀刻：沉积和蚀刻是在芯片制造过程中重要的步骤，用于添加或移除特定材料。沉积是指将材料层通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等方法添加到晶圆表面。而蚀刻则是通过湿法或干法将不需要的材料层从晶圆上去除。　　清洗和检验：制造芯片过程中，晶圆会经过多次清洗和检验，以确保电路的质量和可靠性。清洗过程有助于去除残留的化学物质和杂质，而检验过程用于验证芯片的性能和功能。　　封装和测试：最后，芯片需要进行封装和测试。封装是将芯片连接到外部引脚和封装材料中，以保护芯片，并提供与其他电路的连接。测试过程用于验证芯片的功能和性能，并筛选出任何缺陷或故障。　　五、晶圆和芯片的关系　　晶圆是芯片制造的基础，它提供了一个纯净、平坦的介质来构建芯片。晶圆上的材料加工和处理过程形成了芯片的结构和电路图案。芯片制造过程中，晶圆经过一系列的工艺步骤，如切割、抛光、光刻、刻蚀、沉积和清洗等，使得芯片的电路结构得以实现。　　晶圆的大小和质量对芯片制造具有重要影响。较大直径的晶圆可以容纳更多的芯片，提高生产效率。而高纯度和表面平整度的晶圆有助于减少芯片制造中的杂质和缺陷。　　晶圆和芯片之间的关系可以类比为建筑领域中的土地和房屋的关系。晶圆是提供构建芯片所需的基础材料，而芯片则是在晶圆上建造的微小电子装置。晶圆决定了芯片的规模和可行性，而芯片则代表着晶圆上电子器件的集合和功能。

关键词：

芯片

发布时间：2024-01-05 14:41 阅读量：1273 继续阅读>>

行业新闻

发力高端晶圆与成品芯片测试！思瑞浦车规级测试中心正式运营

　　12月21日，聚焦高性能模拟芯片与嵌入式处理器的半导体公司——思瑞浦(3PEAK，股票代码：688536)的车规级测试中心开业仪式在苏州工业园区隆重举行，标志着思瑞浦车规级测试中心正式投入运营。　　苏州市副市长张桥先生，苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪乾先生等嘉宾，思瑞浦董事长周之栩先生等公司高层，共同出席仪式。　　苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪乾先生在致辞中表示，“苏州一直以来都非常重视集成电路产业的发展，并且具有完备的生态体系和优厚的“先天”优势。思瑞浦作为园区首批“科技领军人才”项目、IC设计产业的杰出代表，凭借领先的研发实力、高质量高标准的产品能力，确立了国内模拟芯片领军地位。思瑞浦在园区投资布局测试中心项目的启用，将为推动园区集成电路产业强链补链提供强劲支撑。园区将以更高水平推动创新链、产业链、资金链、人才链深度融合，以更加有力的要素支撑、更加一流的营商环境，推动包括思瑞浦在内的园区集成电路企业加速做大做强。我们衷心希望思瑞浦继续深耕园区，协同更多创新资源，助力园区和苏州高质量发展。”　　思瑞浦董事长周之栩先生在致辞中表示，“思瑞浦车规级测试中心是思瑞浦在苏州工业园区深耕布局的重大项目，定位高端车规级晶圆和成品芯片测试，这是思瑞浦从设计向测试产业链延伸的战略举措，车规级测试中心将作为公司重要的业务发力点，持续技术创新，打造高性能、高质量、高可靠性的产品。”　　随着芯片集成度、复杂度不断提升以及下游应用领域对产品质量及可靠性的要求愈加严苛，思瑞浦车规级测试中心的建成与运营，加强了公司在自有高端产品晶圆测试和成品测试环节的自主可控，提升了研发技术和测试工艺的协同效应，增强了对芯片测试全流程的质量控制，为公司供应链安全、技术保密和研发迭代提供强有力支撑。　　坐落于苏州工业园区，思瑞浦车规级测试中心计划总投资7.8亿元，整体面积近8000平方米，建有千级和万级两个无尘室车间，以高端车规产品的标准进行建设，支持常温、高温和低温测试，能满足不同尺寸的晶圆以及不同封装形式的成品芯片测试。

关键词：

思瑞浦

发布时间：2023-12-21 15:12 阅读量：1425 继续阅读>>

佰维存储<span style='color:red'>晶圆</span>级先进封测制造项目落地东莞松山湖！

行业新闻

佰维存储晶圆级先进封测制造项目落地东莞松山湖！

　　近日，深圳佰维存储科技股份有限公司的晶圆级先进封测制造项目正式落地东莞松山湖高新技术产业开发区，签约仪式在东莞市成功举办。佰维存储董事长孙成思，总经理何瀚，创始人孙日欣，以及公司旗下惠州佰维、广东芯成汉奇(此项目实施主体)总经理刘昆奇出席了签约仪式。东莞市委副书记、市长吕成蹊，东莞市委副书记、松山湖党工委书记刘炜，松山湖党工委副书记、管委会主任欧阳南江、东莞市投资促进局局长陈顺娇出席并见证合约签署的庄严时刻。此外，出席本次签约仪式的还有来自学术界、金融界以及产业链的重量级嘉宾，原广东工业大学党委书记、校长、现广工大国家重点实验室主任陈新教授，达晨资本合伙人梁国智、王赞章，国家开发银行深圳分行处长孙宸，副处长李皓，中国进出口银行深圳分行处长吴金瑢，广州慧智微电子董事长、总经理李阳等贵宾隆重出席了签约仪式。　　晶圆级先进封测系介于前道晶圆制造与后道封装测试之间的半导体制造中道工序，采用光刻，刻蚀，电镀，PVD，CVD，CMP，Strip等前段晶圆制造工序，以实现凸块(Bumping)，重布线(RDL)，扇入(Fan-in)，扇出(Fan-out)，硅通孔(TSV)等工艺技术，不仅可以将芯片直接封装在晶圆上，节省物理空间，还能够将多个芯片集成在同一个晶圆上，实现更高的集成度。落地晶圆级先进封测项目有利于公司产品实现更大的带宽、更高的速度、更灵活的异构集成以及更低的能耗，赋能移动消费电子、高端超级计算、游戏、人工智能和物联网等应用领域的客户。　　综合来看，佰维存储具备实施该项目所需的技术保障和竞争优势。得益于在存储器先进封测领域的深厚积累，公司掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NAND、DRAM芯片和SiP封装产品的创新力及大规模量产提供支持。目前，公司已构建成建制的、具备国际化视野的专业晶圆级先进封装技术和运营团队，并与广东工业大学省部共建精密电子制造技术与装备国家重点实验室(广工大国重实验室)等高校达成战略合作，共同推动大湾区发展晶圆级先进封测技术，赋能项目实施和商业成功。　　晶圆级先进封测技术是当前半导体产业的重点发展方向之一，其广泛应用将进一步推动电子设备的发展和智能化进程，助力集成电路产业实现高算力、低功耗的良性发展。落地晶圆级先进封测是佰维存储顺应先进存储器发展需要、存储和逻辑整合技术趋势下的前瞻性布局，项目旨在树立大湾区先进封测的标杆。公司积极推进与IC设计厂商、晶圆制造厂商以及终端客户等产业链伙伴实现“WIN-WIN”共赢，为大湾区的集成电路补链、强链建设添砖加瓦，提升集成电路产业规模和技术水平。

关键词：

佰维存储

发布时间：2023-12-01 14:05 阅读量：1807 继续阅读>>

衬底和<span style='color:red'>晶圆</span>的区别是什么衬底<span style='color:red'>晶圆</span>分类

行业新闻

衬底和晶圆的区别是什么衬底晶圆分类

　　衬底是指在半导体制造过程中作为基础层的物质。它通常是一个硅片或其他材料的薄片，作为承载芯片和电子器件的基础。衬底可以看作是半导体器件的“地基”。　　衬底的结构根据具体应用和需求而有所不同。最常见的衬底材料是单晶硅(Silicon)，通常以硅(Si)的形式存在。衬底的硅片通常具有圆形或方形的形状，其表面是平坦的。　　除了硅衬底外，也使用过其他材料作为衬底，如蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(Silicon Carbide)等。这些材料在特定应用中具有特殊的性质和优势。　　一、晶圆的定义和结构　　晶圆是指从衬底中切割出来的圆形硅片。它被广泛应用于半导体制造过程中，是半导体芯片的主要基板。晶圆可以看作是半导体器件的“原材料”。　　晶圆的结构主要由两个方面决定：尺寸和方向。晶圆的尺寸通常以直径来表示，最常见的尺寸是4英寸(100毫米)和8英寸(200毫米)，但也有其他尺寸可用。　　晶圆的方向由其晶格结构决定。晶圆可以分为不同的晶向，如<100>、<110>、<111>等。这些晶向决定了晶圆上晶格的排列方式，对器件性能和工艺步骤有重要影响。　　二、衬底与晶圆在半导体制造中的应用　　衬底的应用　　衬底在半导体制造中具有以下重要应用：　　承载半导体芯片：衬底是半导体芯片的基础，提供稳定的平台来构建电子器件和集成电路。　　基础层的沉积：在制造过程中，衬底上可能需要进行一系列的薄膜沉积，如氧化物、金属等。这些薄膜可以提供保护和功能性。　　背面处理：衬底的背面通常进行背刻和背面加工，以便使电流通过器件。　　晶圆的应用　　晶圆在半导体制造中具有以下重要应用：　　材料生长：晶圆作为基板，可以用来在其表面上生长单晶薄膜，如外延生长(Epitaxy)。　　芯片制造：晶圆上的电路设计和制造是半导体芯片制造的关键步骤。涉及到将电路图设计转化为实际的电子器件，并在晶圆上进行精确的制造和加工。　　光刻：晶圆上的光刻技术用于在薄膜上形成图案，以定义电子器件的结构和互连。　　清洗和处理：晶圆经常需要进行清洗和处理步骤，以去除表面污染物、改善品质和增强性能。　　包装和封装：完成芯片制造后，晶圆将进行切割和封装，形成最终的半导体器件或集成电路。　　衬底和晶圆是半导体制造过程中的两个重要概念。衬底是作为基础层的材料，承载着芯片和器件;而晶圆则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。衬底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圆则是衬底的一部分，具有特定的尺寸和方向。衬底用于承载和沉积薄膜，而晶圆用于生长材料、制造芯片和执行光刻等工艺步骤。

关键词：

晶圆

发布时间：2023-11-09 09:39 阅读量：1346 继续阅读>>

行业新闻

罗姆2024年将首次在日本生产碳化硅晶圆

　　据日媒报道，罗姆半导体计划于2024年在日本首次生产碳化硅(SiC)晶圆，以扩大产能并提高供应稳定性。　　罗姆株式会社社长松本功近日宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸(200mm)碳化硅晶圆，主要供罗姆公司内部使用，预计将于2024年开始运营。　　宫崎第二工厂原本是出光兴产子公司Solar Frontier的原国富工厂。罗姆即将通过一项交易收购这家工厂，一旦转换为罗姆在宫崎的第二工厂，这将成为罗姆最大的碳化硅功率半导体工厂，生产8英寸晶圆。　　据罗姆官网介绍，罗姆目前在日本拥有四个基于碳化硅的功率半导体生产基地，分别位于京都总部、福冈县筑后工厂和长滨工厂以及宫崎第一工厂。罗姆的目标是到2025财年碳化硅功率半导体收入达到1000亿日元，同时将产能提高到2021财年的6倍。　　罗姆公司于2009年收购了德国碳化硅晶圆制造商SiCrystal后，在其位于德国纽伦堡的工厂生产碳化硅晶圆。现在，出于业务连续性规划、确保稳定安全的供应链以及扩大产能的考虑，罗姆决定在日本境内建立碳化硅晶圆生产线，使其成为罗姆碳化硅晶圆的第二个生产基地。

关键词：

罗姆

发布时间：2023-11-07 13:02 阅读量：1266 继续阅读>>

一片<span style='color:red'>晶圆</span>可以产出多少芯片

行业新闻

一片晶圆可以产出多少芯片

芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的加工过程，在空白的硅片完成电路加工，出厂后依然是完整的圆形硅片。后道是指封装和测试过程，在封测厂中将圆形的硅片切割成单独的晶粒，完成外壳的封装，最后完成终端测试，出厂为芯片成品。一片晶圆可以产出多少芯片取决于晶圆的大小，晶粒的大小和良率三个因素。本期我们将从这三个方面简单的展开说说。　一片wafer有多大? 晶圆，又称wafer, 常见的尺寸大小为6英寸、8英寸、12英寸等，换算成mm分别是150mm, 200mm,300mm, 这里的长度指的是晶圆的直径。由此可见，12寸的直径是8寸晶圆直径的1.5倍，12寸晶圆的面积为8寸晶圆的2.25倍。什么是“Die”? Die指的是芯片未封装前的晶粒，是从wafer上用激光切割而成的一个单独的晶圆区域，它包含了芯片的一个完整功能单元或一组相关功能单元。每个Die最终都切割成一个小方块并封装起来，成为我们常见的芯片。晶圆的良率很重要通常芯片的制造步骤会设计到几百步工艺，其相当长且很复杂。这些制程也不可能每次都很完美，因此晶圆的良率管控就显得尤其重要，同时良率对产品的成本也有着显著的影响。晶圆可切割晶粒计算器 DPW 一片晶圆可以切出多少芯片?抛去良率因素，这是一个简单的图形面积计算问题，它的专有的表征名词是“DPW”，DPW是Die Per Wafer的缩略词。晶圆可切割晶粒数(DPW)的计算是非常简单的。它的计算实际上是与圆周率π有密切的关联。　晶圆上的晶粒其实可以看作是圆形所能容纳下的所有方形的集合。所以，可切割晶粒数的计算就是利用圆周率和晶圆尺寸作为已知参数，确定出整体圆形区域能容量下的方形数量。 π：圆周率 d: 晶圆直径 W: 晶粒长度 H: 晶粒宽度晶圆尺寸和晶粒尺寸虽然是已知的，但是，由于晶粒相互之间是有空隙(如预留的划道)的，晶圆的边缘去除区也不可用。这些因素使得计算变得稍微有点复杂和棘手。因此，把DPW工具的计算结果作为可切割晶粒估算值而非精确的计算值可能更准确一点。除了前面提到的无效区域外，晶圆厂还会额外占用部分区域做测试(PCM结构)，相对而言也会占用晶圆一小部分面积。另外还有划道、晶圆裕量，以及因为各工序之间或晶圆厂之间要求不同而导致的测试结构大小不一致而浪费的区域。因此，如需精确的最终DPW数值应直接向晶圆厂问询，以得到更专业准确的数据。

关键词：

芯片

发布时间：2023-10-13 10:07 阅读量：1221 继续阅读>>

SEMI：今年<span style='color:red'>晶圆</span>厂设备支出下滑15% 将于2024年改善

行业新闻

SEMI：今年晶圆厂设备支出下滑15% 将于2024年改善

　　受到芯片需求需求减弱以及消费和移动设备库存增加，SEMI国际半导体产业协会近日表示，预估全球晶圆厂设备支出总额将从2022年的历史高点995亿美元下滑15%，来到840亿美元。随后于2024年回升15%，达到970亿美元。　　SEMI 总裁兼首席执行官 Ajit Manocha 表示：" 事实证明，2023 年设备投资的下降幅度较小，2024 年的反弹力度将强于今年早些时候的预期。"" 这一趋势表明，半导体行业正在走出低迷，在健康芯片需求的推动下，走上恢复强劲增长的道路。"　　另外，受惠于产业对于先进和成熟制程节点的长期需求持续成长，晶圆代工产业2023年维持投资规模，微幅成长1%至490亿美元，持续引领半导体产业成长。而预计2024年产业回温，带动设备采购金额扩增至515亿美元，较2023年成长5%。　　区域分析，中国台湾2024年稳坐全球晶圆厂设备支出领先地位，年增4%到230亿美元。韩国居次，2024年达220亿美元，较2023年成长41%。中国大陆2024年总支出额以200亿美元排名全球第三，大陆代工业者和IDM厂商将持续以成熟制程投资布局　　美洲地区仍维持第四大支出地区，并创历年新高，支出总额将到140亿美元，年成长率达23%。欧洲和中东地区续创佳绩，支出总额增长41.5%达80亿美元。日本和东南亚地区2024年分别增长至70亿和30亿美元。　　从 2022 年到 2024 年，SEMI 世界晶圆厂预测报告显示，继 2022 年增长 8% 之后，今年全球半导体行业的产能将增长 5%。预计 2024 年产能将继续增长，增幅为 6%。

关键词：

晶圆厂

发布时间：2023-09-15 09:33 阅读量：1348 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址